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硅化鈷 CoSi2

硅化鈷 CoSi2

  • 所屬分類:硅化鈦鋯鉿等
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  • 發布日期:2020-08-04 11:29:18
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  二硅化鈷

  化學式CoSi2。分子量115.11。深褐色斜方系晶體。熔點1277℃,相對密度5.3。在1200℃下可被氧化,侵蝕其表面;與氟在低溫下反應;與氯在300℃反應。被氟化氫,稀、濃硝酸及硫酸侵蝕,也能被熔融的強堿劇烈侵蝕。與沸熱的濃鹽酸緩慢作用。CoSi2具有低電阻率,良好的熱穩定性,目前在大規模集成電路中作為接觸得到廣泛使用。并且CoSi2有和Si相似的晶體結構,因此可以再Si襯底上形成外延CoSi2/Si結構,用來研究外延金屬硅的界面特性。硅化物納米結構在納米電子學的一系列領域還有著潛在的重要應用:半導體硅化物納米結構(FeSi2)可以用來制備納米電子有源器件,在硅基納米發光器件中可能有十分重要的應用;金屬性硅化物(CoSi2, NiSi2)可以再未來的量子計算機、容錯太赫茲納米電路計算機中用作納米導線,由于可以在硅襯底上制備外延硅化物導線,它們的性能因為沒有晶粒間界將會比普通的金屬納米線大大提高;金屬性納米機構也可以在分子電子學中作為一個分子或幾個分子的納米電極。在半導體組件的工藝中,多在內部電連接點例如柵極、源極或漏極上,形成低阻值的二硅化鈷(CoSi2)層。一般而言,二硅化鈷的制造方法是先將金屬鈷(Co)層形成于一含硅的襯底上,再經過兩次的退火處理(annealingtreatment)將鈷轉變成二硅化鈷。其中,退火處理是先令鈷擴散到含硅的襯底內,以形成一硅化鈷(CoSi)層。第二次的退火處理則是將硅化鈷層轉變成低阻值的二硅化鈷,藉以降低組件的電阻值。


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